英特爾今天公布了10納米工藝製程的消息，這無異於一個重磅炸彈。目前全球性能最高的是14納米晶體管，業內大多數使用的還算是14/16/20納米製程，英特爾的10納米工藝預計會領先整整一代。
10納米提高了晶體管密度並降低了單個晶體管成本
英特爾10 納米工藝使用了超微縮技術 （hyper scaling），充分運用了多圖案成形設計 （multi-patterning schemes），可以助力英特爾延續摩爾定律的經濟效益，從而推出體積更小、成本更低的晶體管。未來英特爾10納米製程將用於製造英特爾全係列產品。
在工藝方麵，英特爾10納米製程的最小柵極間距從70納米縮小至54納米，且最小金屬間距從52納米縮小至36納米。尺寸的縮小使得邏輯晶體管密度可達到每平方毫米1.008億個晶體管，是之前英特爾14納米製程的2.7倍，大約是業界其他"10納米"製程的2倍。
英特爾10納米把邏輯晶體管密度提高了2.7倍
性能上，相比之前的14納米製程，英特爾10納米製程提升高達25%的性能和降低45%的功耗。相比業界其他所謂的"10 納米"，英特爾10納米製程也有顯著的領先性能。
另外，英特爾執行副總裁 Stacy J.Smith 還向全世界首次展示了以最新 10 納米製程技術所打造的晶圓，這也是未來 Cannon Lake CPU 的最基礎的部分，並將會在 2017 年底前正式投產 10 納米製程技術的處理器。
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